記者洪子揚／臺北報導

　國際半導體產業協會舉辦的「2021 SEMICON Taiwan國際半導體展」昨日圓滿落幕。展期中，國家中山科學研究院展區發表「氮化鋁均溫板」、「氮化鎵磊晶、製程晶圓、功率放大器」、「4吋半絕緣碳化矽晶圓（碇）」等多項科研成果，展現該院化合物半導體領域的能量與實力。

　中科院化學研究所開發的「氮化鋁均溫板」，採用高熱導陶瓷載板配合均溫板技術，整合陶瓷基板與金屬均溫板設計，使金屬與陶瓷基板緊密接合，有效提高散熱效率。

　材電所研發的「氮化鎵磊晶、製程晶圓、功率放大器」，具有鐵摻雜的氮化鎵磊晶層可作為半導體元件的絕緣層，有效降低高遷移率電晶體（HEMTs）漏電流現象，達到高崩潰電壓要求，再藉調控成長條件，進行不同摻雜濃度的氮化鎵磊晶層成長，在該院化合物半導體中心完成氮化鎵自製元件製程開發，成品可應用於5G基站功率放大器。

　在「4吋半絕緣碳化矽晶圓（碇）」部分，則有助於5G行動通訊基地臺微縮化及普及化，達成高速、大流量的通訊需求。

　中科院表示，展覽期間，該院與臺灣經濟研究院攜手，以高功率元件應用研發聯盟名義，與臺灣大學、交通大學、成功大學及臺灣半導體研究中心策略合作，促進我國功率電子相關產業與國內外產業鏈技術交流，帶動相關技術供應鏈合作。